2010年7月30日，中科院上海微系统所邹世昌院士应邀访问新疆理化所，为科研人员及研究生献上了一场题为《经济危机后的中国集成电路产业与SOI抗辐射技术》的学术报告。

　　报告主要论述了中国集成电路产业的现状，2009年经济低谷后中国集成电路产业的恢复情况，后危机时代集成电路产业的机遇及对中国集成电路产业调整产业结构的建议，以及我国在抗辐射加固SOI材料及器件上做出的一些成就。

　　邹世昌指出，我国集成电路产业在2009年经济低谷后恢复很快，现在整个产业的生产规模已经恢复，进出口规模也恢复到了经济低谷前的水平。但是我国集成电路产业的结构还不够合理，组装所占的份额过大，在集成电路设计及制造上所占的份额不足。在后危机时代，我国集成电路产业恢复很快，并且对集成电路的需求很大，而国内的产业规模还不能满足需求，因此这也是我国的一个机遇。我们要立足国内的需求，在集成电路产业率先恢复的基础上，加大设计和制造的比例，把我国集成电路产业从材料到器件再到系统的整个产业链进行结构优化，加强国际竞争力。

　　邹世昌希望新疆理化所发挥在集成电路抗辐射加固基础研究方面的优势，参与到抗辐射加固SOI材料及器件的设计、评估和评估方法提出的研究中去，为打破国外的技术封锁，为我国集成电路产业的发展做贡献。

　　邹世昌院士是国际离子注入学术会议和材料改性学术会议国际委员会委员，德国慕尼黑弗朗霍夫学会固体技术研究所客座教授，我国成功研制用于制备浓缩铀甲种分离膜的主要发明人，独创了用二氧化碳激光背面辐照获得离子注入损伤的增强退火效应，用全离子注入技术研制成我国第一块120门砷化镓门阵列电路，用反应离子束加工成我国第一批闪光全息光栅，研究SOI材料并制成CMOS/SOI电路，发展了离子束增强沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜。获国家发明一等奖和中国科学院自然科学、科技进步等14项奖励，发表文章200多篇。2008年被国际半导体设备材料协会SEMI授予中国半导体产业开拓奖。