2010年2月9日上午，新疆电子信息材料与器件重点实验室2009年年会在理化所二楼召开，新疆科技厅副厅长胡克林、新疆理化所所长任迪远、党组书记李晓、副所长阿吉·艾克拜尔、所长助理崔旺诚及重点实验室科研人员30余人参加了会议。

首先由任迪远所长代表中科院新疆理化所、新疆电子信息材料与器件重点实验室对胡克林副厅长表示热烈欢迎，并感谢自治区科技厅领导在重点实验室的申报及运行过程中的大力支持。任迪远所长简单介绍了新疆电子信息材料与器件重点实验室2009年的申报及运行情况，并对实验室在全所2009年度单项冠军奖中获得“人才引进奖”、“入所经费最多奖”、“发表论文SCI影响因子最高奖”，及各方面呈现的强劲发展态势予以肯定。

重点实验室主任常爱民研究员作了《新疆电子信息材料与器件重点实验室2009年度工作报告》，报告了实验室在平台建设、人才引进、项目争取、专利申报、论文发表、运行管理等各方面取得的进展和成果。然后由陈朝阳研究员、陆妩研究员、中科院“百人计划”潘世烈研究员分别作了《光致荧光材料用于辐射剂量测量的方法研究》、《电子元器件低剂量率辐照损伤增强效应研究”和《新型复合硼酸盐晶体的生长、结构和性能研究》”三个精彩的学术报告。

胡克林副厅长肯定了重点实验室各方面取得的成绩，及在国家航空航天、国防安全等领域作出的贡献，希望重点实验室继续面向新疆特色资源和特殊需求开展相关工作，希望重点实验室在材料和催化领域开展更深入的工作早日申请国家重点实验室，并鼓励重点实验室积极申报国家发明专利奖。最后胡克林副厅长对实验室的科研人员特别是新入所的博士、博士后、“百人计划”人员作出的努力表示敬意，希望科研领域的新鲜血液能更好的带动新疆科技的发展。